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AgGaGeS4

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AgGaGeS4(硫鍺鎵銀)為負雙軸晶體,正交晶系,非線性系數比AgGaS大。與傳統材料相比,AgGaGeS4有寬廣的透光波段(0.5~11.5μm),吸收系數小(α<0.005cm1),很高的抗激光損傷閾值(30 ns,9.55 μm,230 MW/cm2),約為AgGaS?(149MW/cm2),ZnGeP2(142MW/cm2)的1.6倍,適宜于鈦寶石800 nm,Nd:YAG1 μm激光器泵浦的雙折射(0.057);可應用于CO2激光倍頻,可承受大功率激光泵浦,輸出高功率中、遠紅外激光。

特點

  • 高非線性光學系數
  • 寬透射范圍
  • 低的吸收系數
  • 較高的激光損傷閾值
  • 可承受大功率激光泵浦
  • 輸出功率大

物化性質

非線性光學系數d31=15 pm/V
透射范圍0.5-11.5μm
吸收系數0.05 cm-1@1064 nm
損傷閾值>1.2J/cm2@1064nm
晶體結構正交晶系,Fdd2空間群
晶胞參數a=12.015?,
b=22.904?,
c=6.874?
熔點850℃
帶隙2.78eV
透過范圍0.5-11.5μm
雙折射0.0751@0.5μm
0.0656@0.6μm
0.0582@0.8μm
0.0555@1.064μm
0.0545@2μm
0.0516@4μm
0.0333@10.6μm
0.0301@11.5μm

加工參數

定向精度<+-0.1°
表面光潔度?20/10?per?MIL-O-13830A?
面型λ/8@632.8nm?當?T>=1mm
通光面公差+0/-0.1mm
長度公差±0.1mm
平行度30?″
垂直度10′
倒邊<0.2mm×45°

光譜

非線性晶體AgGaGeS4透過率-南京光寶-CRYLINK
厚3.6 mm AgGaGeS4晶片的透過率曲線

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