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DKDP普克爾盒

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DKDP普克爾盒

DKDP（KD2PO4）普克爾盒，又稱為磷酸二氘鉀普克爾盒或KD*P普克爾盒，是一種綜合性能比較優秀的普克爾盒器件。該產品具有光學損耗低、消光比高、電光性能好和對環境的耐受性好等優點，可以用在電光調Q開關、高速攝像開關、軍事和航空激光系統、染料激光器800 nm二、三倍頻以及1064 nm 二、三、四倍頻領域之中。DKDP晶體本身的易潮解性以及機械性能較差，使用時需注意在以下操作環境下使用：溫度操作范圍：10~50度，溫度變化每20分鐘不宜超過5度，環境濕度：<40% ,盡量搭配濕度控制裝置（干燥器皿及干燥劑）使用，不使用時請存儲于干燥箱內。

特點

  • 緊湊設計;
  • 便于調節;
  • 無靜態雙折射;
  • 無光折射損害;
  • 高抗光損傷閾值;
  • 優越的電光系數;
  • 對環境的耐受性好;
  • 密閉好，無粘合劑;
  • DKDP晶體的含氘量高（>99.0%）

標品

DKDP單晶開關

產品型號 通光孔徑 晶體尺寸 外殼尺寸 λ/4電壓 (@ 1064 nm), kV DC 電容, pF 透過率 使用波長 抗光傷, 10ns 10Hz 1064nm 消光比 電極方式
CLKDP-S1520-3542-AR 15mm Dia.15×20 mm3 Dia.35×42 mm 3.2kV 5pF >98.5% 1030nm-1064nm 350MW/cm2 1000:1 柱面插針電極
CLKDP-S1220-3236-AR 12mm Dia.12×20 mm3 Dia.20×35 mm 3.2kV 5pF >98.5% 1030nm-1064nm 600MW/cm2 1000:1 端面插針電極
CLKDP-S1220-3240-AR 12mm Dia.12×20 mm3 Dia.35×42 mm 3.2kV 5pF >98.5% 1030nm-1064nm 350MW/cm2 1000:1 柱面插針電極
CLKDP-S1220-2540-AR 12mm Dia.12×20 mm3 Dia.25×40 mm 3.2kV 5pF >98.5% 1030nm-1064nm 350MW/cm2 1000:1 柱面插針電極
CLKDP-S1020-2532-AR 10mm Dia.10×20 mm3 Dia.25×32 mm 3.2kV 5pF >98.5% 1030nm-1064nm 350MW/cm2 1000:1 柱面插針電極
CLKDP-S0816-1926-AR 8mm Dia.8×16 mm3 Dia.19×26 mm 3.2kV 5pF >98.5% 1030nm-1064nm 350MW/cm2 1000:1 柱面插針電極
CLKDP-S0816-1926-SG 8mm Dia.8×16 mm3 Dia.19×26 mm 3.2kV 5pF >98% 1030nm-1064nm 750MW/cm2 1000:1 柱面插針電極
CLKDP-S0816-2028-AR 8mm Dia.8×16 mm3 Dia.20×28 mm 3.2kV 5pF >98.5% 1030nm-1064nm 350MW/cm2 1000:1 柱面插針電極
CLKDP-S0816-1930-AR 8mm Dia.8×16 mm3 Dia.19×30 mm 3.2kV 5pF >98.5% 1030nm-1064nm 350MW/cm2 1000:1 端面引線
CLKDP-S0918-1928-AR 8mm Dia.9×18 mm3 Dia.19×28 mm 3.2kV 5pF >98.5% 1030nm-1064nm 350MW/cm2 1000:1 端面插針電極

DKDP雙晶開關

產品型號 通光孔徑 晶體尺寸 外殼尺寸 λ/4電壓 (@ 1064 nm), kV DC 電容, pF 透過率 使用波長 抗光傷, 10ns 10Hz 1064nm 消光比 電極方式
CLKDP-D1220-3565-AR 12mm Dia.12×20 mm3, 一對 Dia.35x65mm 1.6kV 8pF >97.5% 1030nm-1064nm 350MW/cm2 500:1 柱面插針電極

普克爾盒參數

插入損耗<0.2%
波前失真<λ/6 @633nm
電壓消光比>2000:1(cp) >1500:1(cp)
準直<0.5°
四分之一波電壓～3400V
表面質量20/10
電容6～10pF
通光孔徑≥90%
涂料AR @1064nm(R<0.2%) 或按要求定制
損傷閾值1GW/cm2 10ns 10Hz @1064nm

光學特性

化學式KD2PO4
透明度范圍200-1600nm
非線性系數d36=0.40pm/V
折射率no=1.4948,ne=1.4554
電光系數r41=8.8pm/V,r63=25pm/V
縱向半波電壓Uπ=2.98KV(λ=546nm)
光學損傷閾值1GW/cm2 @10ns 1064nm
消光比>30dB
Sellmeier方程no2=1.9575544+0.2901391λ2/(λ2-0.0281399)-0.0282439
ne2=1.5005779+0.6276034λ2/(λ2-0.0131558)-0.0105406

結構圖

電光器件DKDP器件結構圖1-南京光寶-CRYLINK電光器件DKDP器件結構圖2-南京光寶-CRYLINK

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