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鈮酸鋰晶體的制備過程是什么?

  鈮酸鋰晶體可謂是晶體學(xué)術(shù)領(lǐng)域的常青樹,其物理效應(yīng)的多樣化和缺陷構(gòu)造的可調(diào)控性深深吸引眾多領(lǐng)域?qū)<业闹匾暎诠怆娮印⒙曤娮雍凸饬孔有畔㈩I(lǐng)域顯現(xiàn)出非常大的應(yīng)用潛力。接下來我們看看光寶光電給大家介紹的關(guān)于鈮酸鋰晶體的制備。

  鈮酸鋰晶體品種繁多,制備方法也各式各樣。在本內(nèi)容中,我們將鈮酸鋰晶體按同成分鈮酸鋰晶體、近化學(xué)計(jì)量比鈮酸鋰晶體、鈮酸鋰單晶薄膜、鈮酸鋰單晶光纖不同類型進(jìn)行細(xì)分,論述了每種類型下較為適宜的制備方法。

  目前同成分鈮酸鋰晶體流行生長方法為提拉法,全世界大部分成功生長出大尺寸鈮酸鋰晶體科研團(tuán)隊(duì)均是選用此方法,此外,泡生法、導(dǎo)模法、溫梯法等也曾用來進(jìn)行鈮酸鋰晶體的制備,但是和提拉法對比并沒有明顯優(yōu)勢或具有明確的業(yè)務(wù)需求,所以并未得到廣泛的關(guān)注。

  鑒于近化學(xué)計(jì)量比鈮酸鋰晶體優(yōu)異的光電性能,但是卻不能通過常規(guī)提拉法進(jìn)行高質(zhì)量晶體的生長,多年以來,圍繞其制備工藝,眾多單位開展了很多的研究工作。目前大多采用的有富鋰熔體法、助熔劑法、擴(kuò)散法等。

  但在鈮酸鋰單晶薄膜的制備上,傳統(tǒng)薄膜制備技術(shù)如化學(xué)氣相沉積、分子束外延、溶膠-凝膠、磁控濺射等均沒有獲得廣泛運(yùn)用,真正得到應(yīng)用的辦法是“離子切片”技術(shù),該方法先將鈮酸鋰晶片貼裝在一個襯底上,隨后用氦離子垂直注入到鈮酸鋰晶片中,然后將離子注入后的晶體放入稀釋后的氫氟酸中進(jìn)行腐蝕,鈮酸鋰晶體的表層會剝離下來,從而獲得了單晶薄膜。

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